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| 所在地： | 直轄市 北京 |
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| 發(fā)布時(shí)間： | 2023-12-15 11:26 |
| 最后更新： | 2023-12-15 11:26 |
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隨著(zhù)半導體技術(shù)的迅猛發(fā)展,移動(dòng)存儲設備快速增長(cháng).FLASH芯片作為移動(dòng)存儲設備中最常用的器件,得到了日趨廣泛的應用,對FLASH芯片的測試要求也越來(lái)越高.本文介紹了FLASH存儲器的基本結構和測試原理,特別是詳細分析,研究了可應用于FLASH芯片的測試算法,對算法進(jìn)行了部分改進(jìn)與綜合.測試實(shí)驗表明,在與傳統的棋盤(pán)格測試方法相同的故障覆蓋率時(shí),本方法的測試效率更高。
